怎么判断电路板信号波长
光刻最佳光源？
光刻最佳光源？
光刻机最大噱头是光源为13.5纳米的ASML光刻机，台积电用这型号光刻机，实现了5纳米制程，而英特公司和三星公司没有做到，特别要注意这里不是五纳米线宽，而是制程。线宽是光刻机的性能指标，是长度单位，极限值是衍射极限值，一般接近波长值，大于波长值，所以很容易有这样的错误想法：
注意台积电实现了5纳米制程，而不是ASML光刻机实现的，三星也用了，它至今没有达到5纳米制程，特别要注意不是达到了5纳米线宽。但是，很多人在混淆这个概念，直接就说ASML光刻机是5纳米光刻机，国产只能实现90纳米。如果理解成线宽，都接近或微微超过半宽度，如果这样理解，国内又无法开发出13.5纳米光源，赶上和超越ASML光刻机，只能是水中捞月的空幻。
所以，一定要注意线宽和制程的区别！ASML的光刻机只能接近衍射极限，台积电的制程是台积电的说法，只说明用的比三星英特好，制程不是长度概念。第二，衍射极限接近波长不准确，应该是衍射极限值波长/Na，Na值在0.05到0.75之间。13.5纳米光源由于只能采用离轴光路，这是致命的，又只能采用反射式光路，球差和平场两个要求难保证，所以一般Na值0.05。而193纳米光源水浸润后相当于132纳米光源，Na值一般0.5。所以两种光源几乎无差异。而193纳米光源特殊设计镜头， 使Na值达0.75，就有可能达到比13.5纳米更好的效果。
第三，那么台积电的制程比三星和英特更好又是什么回事？使用光刻机还有几个因素：一，光刻胶，布胶是有讲究的，它也决定最后刻线宽度。二，电路的掩膜制造，也决定最终线宽。三，五纳米制程的真实的线宽是，每平方毫米5000万只晶体管，每平方微米50只，单个晶体管占20000平方纳米，也就是平均140纳米的见方。比起13.5纳米波长，相差十倍多，所以对193纳米浸润后的光源相当于132纳米，都在衍射极限以内。
我最近关于麦氏方程组的研究，发现这个衍射极限值是否是它，我已经怀疑，这是以后的事。第四，刻线宽度是否可以突破上述这个值，不完全取决于这个值，还和光刻机的使用有关系，这个可以用衍射理论说清楚的，这里我不讲。第五，本来光刻机和它的应用，已经触及衍射极限，本该有一个基础理论的重大突破，它的意义远远大于光刻机的极限线宽。
七段译码管的工作原理？
7段译码器有7个输出引脚分别对应数码管的7个字段，进行译码工作时把输入的BCD码转换成对应的七个字形段输出。
与共阳极数码管对应的7段译码器有效输出为低电平，与共阴极数码管对应的7段译码器有效输出为高电平。
当数码管有不止一位时，另外有字位扫描驱动电路给相应被点亮的字位高电平或低电平（字位扫描驱动电路与译码器的有效输出相反），这样应该点亮的数码位的相应字段就会有额定的工作电压差而被点亮。